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全光纖太赫茲時(shí)域光譜儀 低成本太赫茲時(shí)域光譜儀系統(tǒng)，全光纖耦合穩(wěn)定性高，光譜范圍寬，可滿客戶對(duì)太赫茲時(shí)域光譜儀的基本測(cè)試需求。

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鈮酸鋰晶體 波前傾斜太赫茲發(fā)生器 鈮酸鋰（LiNbO3）晶體作為一種應(yīng)用廣泛的光學(xué)材料，它優(yōu)良的電光、聲光、壓電、熱電和非線性光學(xué)特性使得鈮酸鋰晶體可以被廣泛的應(yīng)用于電/聲光器件、高溫聲波傳感器、電光調(diào)制器（譜克爾盒）、頻率轉(zhuǎn)換器件、太赫茲產(chǎn)生器件等等。

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GaSe硒化鎵晶體是一種暗棕色閃光的片狀晶體。相對(duì)密度5.03，熔點(diǎn)(960±10)℃。GaSe和GaS一樣是層狀結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體，隨著溫度的降低，GaSe光電效應(yīng)最大值向短波方向移動(dòng)。硒化鎵作為一種非線性晶體和光電導(dǎo)體，通常被應(yīng)用于這些方面：于CO2激光器的二次諧波的產(chǎn)生，CO2激光器頻率上轉(zhuǎn)換至近紅外或可見光，中紅外波段的光學(xué)混頻，以及5.5um-18.0um中紅外波段的的不同頻率的產(chǎn)生。同時(shí)GaS

磷化鎵晶體GaP太赫茲晶體 GaP磷化鎵是一種人工合成的化合物半導(dǎo)體材料。外觀：橙紅色透明晶體。磷化鎵是一種由ⅢA族元素鎵(Ga)與VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半導(dǎo)體材料。（110）晶向的GaP晶體常常被用在太赫茲時(shí)域光譜儀中作為探測(cè)晶體，其橫光學(xué)支聲子線在11THz。通常可探測(cè)的頻譜寬度在0.1-6.5THz。